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【动态】剑桥大学举办新型时间分辨阴极荧光测量系统Allalin Chronos安装交付仪式

发布:QUANTUM量子科学仪器贸易(北京)有限公司
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     2019年9月,剑桥大学Rachel Oliver教授及其团队聚集了来自英国科学和工业界的50多名顶尖研究人员,为其全新的时间分辨阴极荧光测量系统Allalin Chronos的顺利安装和交付使用举行了盛大的开幕式!

 

     剑桥大学物理科学学院院长Lindsay Greer教授主持开幕仪式,并对这台设备获得的时间分辨阴极荧光结果和应用进行了许多深入而热烈的讨论,内容涵盖了从化合物半导体材料和器件到钙钛矿和地质样品的各种材料。Rachel Oliver教授随后介绍了此设备的实用性,强调了此设备的顺利安装必将极大促进英国科学界在相关领域的研究,期待可以得到更多的创新性科研成果!


 时间分辨和空间分辨的阴极荧光测量系统

时间分辨和空间分辨的阴极荧光测量系统

开幕式现场照片

 

    这款先进的时间分辨阴极荧光测量系统是由瑞士attolight自主研发生产的,Attolight公司CEO Samuel Sonderegger博士应邀参加开幕式,并与到场科学家进行了深入的技术交流和沟通。

 

    作为世界上唯一一款同时具备时间分辨和空间分辨的阴极荧光测量系统,attolight生产的Allalin Chronos具有如下的独特技术优势和应用特点:


    ?  Allalin Chronos系统,可实现变温、时间分辨、纳米尺度分辨率的阴极荧光分析。在连续模式下,系统采用高电流密度的肖特基场发射电子枪。在时间分辨模式下,相同的电子枪则为超快激光器所驱动,产生超短电子脉冲。系统独有的高效率定量CL收集系统,有效保障时间分辨阴极荧光光谱测试。

    ?  激发激光器与探测器之间精确同步,从而使皮秒级的时间分辨阴极荧光分析成为可能。脉冲模式与连续模式之间的切换是自动化的,且仅需要几分钟,这使得系统能够成为完美的多用户设备,满足不同用户的研究需求和使用要求。

    ?  Allalin Chronos是专为那些需要获取光谱动力学信息的研究者们而量身打造的,具有纳米级空间分辨率及皮秒级的时间分辨率。系统具有一整套超快探测器,探测波长覆盖紫外至近红外波段(200 nm~1700 nm),尽最大可能优化您的应用。

    ?  该系统还可搭配超稳液氦恒温器使用,工作温度覆盖10 K至室温。Allalin Chronos的多功能设计也使它能够执行其他先进的表征测试,例如泵浦/探测光谱及动态SEM。

 

附1:基于时间分辨阴极荧光光谱的应用及部分实例


-局域辐射和非辐射载流子寿命的测定

-半导体异质结中载流子激发动力学的分析

-先进的泵浦/探测光谱


 时间分辨和空间分辨的阴极荧光测量系统

利用时间分辨CL分析弯曲状态下氧化锌微米带中的激子扩散行为:沿微米带径向三个不同激发区域的时间分辨荧光光谱。根据测试结果,可以建立并验证应力诱导的激子扩散模型。(ACS Nano, 8(4), 3412-3420, 2014)


 时间分辨和空间分辨的阴极荧光测量系统

InGaN/GaN量子阱中局域载流子复合。(Applied Physics Letters 109, 232103 (2016))


 时间分辨和空间分辨的阴极荧光测量系统

在氮化镓中围绕单一位错缺陷的CL强度与有效寿命。(Applied Physics Letters 109, 042101 (2016))


 时间分辨和空间分辨的阴极荧光测量系统

单根InGaN/GaN核/壳微米柱的时间分辨CL衰减及CL成像结果。(Applied Physics Letters 112, 052106 (2018))

 

 

附2:Rachel Oliver教授利用Attolight阴极荧光光谱仪开展的部分研究工作及链接:


[1] T. J. Puchtler, A. Woolf, T. Zhu, D. Gachet, E. L. Hu, R. A. Oliver. Effect of Threading Dislocations on the Quality Factor of InGaN/GaN Microdisk Cavities. ACS Photonics, 2015, 2, 137-143.

(https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/ph500426g)

 

[2] T. Zhu, D. Gachet, F. Tang, W. Y. Fu, F. Oehler, M. J. Kappers, P. Dawson, C. J. Humphreys, R. A. Oliver. Local carrier recombination and associated dynamics in m-plane InGaN/GaN quantum wells probed by picosecond cathodoluminescence. Appl. Phys. Lett., 2016, 109, 232103.

(https://doi.org/10.1063/1.4971366)

 

[3] C. J. Humphreys, F. C-P. Massabuau, S. L. Rhode, M. K. Horton, T. J. O’Hanlon, A. Kovacs, M. S. Zielinski, M. J. Kappers, R. E. Dunin-Borkowski, R. A. Oliver. Atomic Resolution Imaging of Dislocations in AlGaN and the Efficiency of UV LEDs. Microsc. Microanal., 2018 ,4, 4-5.

(https://doi.org/10.1017/S143192761800051X)


[4] F. C-P. Massabuau, S. L. Rhode, M. K. Horton, T. J. O’ Hanlon, A. Kovács, M. S. Zielinski, M. J. Kappers, R. E. Dunin-Borkowski, C. J. Humphreys, R. A. Oliver. Dislocations in AlGaN: Core Structure, Atom Segregation, and Optical Properties. Nano Lett., 2017, 17, 4846-4852.

(https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.7b01697)

 

[5] F. C-P. Massabuau, P. Chen, S. L. Rhode, M. K. Horton, T. J. O’Hanlon, A. Kov′acs, M. S. Zielinski, M. J. Kappers, R. E. Dunin-Borkowski, C. J. Humphreys, R.A. Oliver. Alloy fluctuations at dislocations in III-Nitrides: identification and impact on optical properties. Proceedings Volume 10532, Gallium Nitride Materials and Devices XIII; 105320R (2018)

(https://doi.org/10.1117/12.2288211)

 

 

附3:部分国内专家学者利用Attolight阴极荧光光谱仪开展的研究工作及链接:


[1] X. Fu, G. Jacopin, M. Shahmohammadi, R. Liu, M. Benameur, J-D. Ganière, J. Feng, W. Guo, Z. Liao, B. Deveaud, D. Yu. Exciton Drift in Semiconductors under Uniform Strain Gradients: Application to Bent ZnO Microwires. ACS Nano, 2014, 8, 3412-3420.

(https://doi.org/10.1021/nn4062353)

 

[2] M. Shahmohammadi, G. Jacopin, X. Fu, J-D, Ganière, D. Yu, B. Deveaud. Exciton hopping probed by picosecond time-resolved cathodoluminescence. Appl. Phys. Lett., 2015, 107, 141101.

(https://doi.org/10.1063/1.4932098)

 

[3] Y. Song, L. Zhang, Y. Zeng, L. Qin, Y. Zhou, Y. Ning, L. Wang. Microscopic View of Defect Evolution in Thermal Treated AlGaInAs Quantum Well Revealed by Spatially Resolved Cathodoluminescence. Materials 2018, 11(6), 1049.

(https://doi.org/10.3390/ma11061049)

 

[4] X. Xie, B. Li, Z. Zhang, S. Wang, D. Shen. Controlled compensation via nonequilibrium electrons in ZnO. Sci. Rep., 2018, 8, 17020.

(DOI:10.1038/s41598-018-35178-w)


2019-12-25 11:18:16
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